중국 4F² D램 공개, 삼성전자 송재혁 “개발 중”
중국이 차세대 D램 기술인 4F²를 전면에 내세우며 반도체 시장의 지각변동을 예고하고 있습니다. 이 기술은 기존 D램 셀 면적의 1/4 수준으로 집적도, 성능, 전력 효율을 획기적으로 개선하여 D램 시장의 판도를 바꿀 잠재력을 지닙니다. 삼성전자 역시 이 기술 개발에 어떻게 대응할지 주목받고 있습니다. 목차 4F² 기술, 미래 D램의 핵심 열쇠 중국의 4F² 기술, 단순한 도전을 넘어선 야심 … 더 읽기